被c哭着爬走又被拉回来挺进h,添女人下边视频全过程,免费无遮挡无码永久在线观看视频,亚洲尺码与欧洲尺码区别入口跳转

技術(shù)文章

Technical articles

當(dāng)前位置:首頁技術(shù)文章PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

更新時間:2020-04-28點擊次數(shù):2680

      熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(EDS),數(shù)顯溫度儀,恒溫爐進行了表征和靜態(tài)標(biāo)定。結(jié)果表明這兩部分樣片均存在合金成分偏析的現(xiàn)象,平均Seebeck系數(shù)與國家標(biāo)準(zhǔn)也有較大差異。

   分析后我們認(rèn)為:

(1)在鄭州科探儀器磁控濺射中,濺射產(chǎn)額和濺射能量閾值是引起合金膜偏析的重要原因,不同元素的濺射產(chǎn)額和濺射能量閾值差別越大,偏析現(xiàn)象越嚴(yán)重。同時還和實驗順序有關(guān),隨著實驗進行偏析現(xiàn)象有所減弱,這是由于靶面和靶深層原子濃度不同引起原子擴散導(dǎo)致的。

(2)在電子束蒸發(fā)中,NiSi合金物料的偏析主要是由熔融的Ni、Si二者密度差距太大,物料在坩堝中分層引起的。同時隨著實驗的進行偏析現(xiàn)象會越來越嚴(yán)重,因為密度較小的Si始終在物料上方,在蒸鍍過程中逐漸耗盡而只剩下Ni。此外,本文研究還使用電弧離子鍍嘗試沉積了 NiSi膜,結(jié)果有嚴(yán)重的“跑弧”現(xiàn)象,實驗無法正常進行。我們結(jié)合靶周圍磁場的仿真結(jié)果和真空陰極電弧的基本理論對這種異常的弧光放電進行了分析。結(jié)果表明Ni的高臨界場強和受干擾的磁場都會使電弧向靶外移動,導(dǎo)致“跑弧”。后針對“跑弧”提出了一些解決方案。

国产女人18毛片水真多18精品 | 波多野结衣av| 国产真实乱人偷精品视频免费| 色翁荡熄500篇| 中文字幕第一页| 乖含着睡h1v1| 律师的小秘书1v1h| 荫蒂每天被男人添| 羞羞漫画官网| 美女视频黄频| 折磨女性私密的100种方法| 国产免费一区二区三区在线观看| 日韩av无码一区二区三区不卡| 欧美人伦禁忌DVD放荡欲情| 少妇高潮久久久久久| 在线永久免费观看黄网站| 麻豆映画传媒| 最近韩国日本免费高清观看| 国产日韩一区二区三区在线观看| 妽妽用身体满足了我| 亚洲熟女AV综合一区二区三区 | 丰满人妻一区二区三区免费视频 | 被夫上司欺辱的人妻hd中文版| 无人视频在线观看完整版高清| 男人亚洲成色av网站| 国产真实伦对白全集| 亚洲av天堂丁香五色天| 亚洲爆乳无码精品aaa片蜜桃| 亲妺妺乱的性视频| 青草视频在线播放| 偷窥学校女厕撒尿bbbbb| 日本三级在线观看| 日本人是sb吗| 玩弄丰满熟妇xxxxx性| 免费60分钟床| 女厕厕露p撒尿八个少妇| 色婷婷av国产精品欧美毛片| 100国产精品人妻无码| 久久99亚洲精品久久久久| 躁躁躁日日躁| 亚洲av无码成人精品区在线观看|